# 存储器类型

[English]

ESP32-S3 芯片具有不同类型的存储器和灵活的存储器映射特性，本小节将介绍 ESP-IDF 默认如何使用这些功能。

ESP-IDF 区分了指令总线（IRAM、IROM、RTC FAST memory）和数据总线 (DRAM、DROM)。指令存储器是可执行的，只能通过 4 字节对齐字读取或写入。数据存储器不可执行，可以通过单独的字节操作访问。有关总线的更多信息，请参阅 ESP32-S3 技术参考手册 > 系统和存储器 [PDF]。

## DRAM（数据 RAM）

非常量静态数据（.data 段）和零初始化数据（.bss 段）由链接器放入内部 SRAM 作为数据存储。此区域中的剩余空间可在程序运行时用作堆。

通过应用 `EXT_RAM_BSS_ATTR` 宏，零初始化数据也可以放入外部 RAM。使用这个宏需要启用 CONFIG_SPIRAM_ALLOW_BSS_SEG_EXTERNAL_MEMORY。详情请见 允许 .bss 段放入片外存储器。

备注

静态分配的 DRAM 的最大值也会因编译应用程序的 IRAM（指令 RAM） 大小而减小。运行时可用的堆内存会因应用程序的总静态 IRAM 和 DRAM 使用而减少。

常量数据也可能被放入 DRAM，例如当它被用于 non-flash-safe ISR 时（具体请参考 如何将代码放入 IRAM）。

### "noinit" DRAM

可以将 `__NOINIT_ATTR` 宏用作属性，从而将数据放入 `.noinit` 部分。放入该部分的值在启动时不会被初始化，在软件重启后也会保持值不变。

通过使用 `EXT_RAM_NOINIT_ATTR` 宏，noinit 数据也可以放入外部 RAM 中。为此，需要启用 CONFIG_SPIRAM_ALLOW_NOINIT_SEG_EXTERNAL_MEMORY，可参考 允许 .noinit 段放入片外存储器。如果没有启用 CONFIG_SPIRAM_ALLOW_NOINIT_SEG_EXTERNAL_MEMORY， `EXT_RAM_NOINIT_ATTR` 会和 `__NOINIT_ATTR` 一样，将数据放入内部 RAM 的 `.noinit` 部分。

示例:

    __NOINIT_ATTR uint32_t noinit_data;

## IRAM（指令 RAM）

备注

内部 SRAM 中不用于指令 RAM 的部分都会作为 DRAM（数据 RAM） 供静态数据和动态分配（堆）使用。

### 何时需要将代码放入 IRAM

以下情况时应将部分应用程序放入 IRAM：

- 如果在注册中断处理程序时使用了 `ESP_INTR_FLAG_IRAM`，则中断处理程序必须要放入 IRAM。更多信息可参考 IRAM 安全中断处理程序。

- 可将一些时序关键代码放入 IRAM，以减少从 flash 中加载代码造成的相关损失。ESP32-S3 通过 MMU 缓存从 flash 中读取代码和数据。在某些情况下，将函数放入 IRAM 可以减少由缓存未命中造成的延迟，从而显著提高函数的性能。

### 如何将代码放入 IRAM

借助链接器脚本，一些代码会被自动放入 IRAM 区域中。

如果需要将某些特定的应用程序代码放入 IRAM，可以使用 链接器脚本生成机制 功能并在组件中添加链接器脚本片段文件，在该片段文件中，可以给整个目标源文件或其中的个别函数打上 `noflash` 标签。更多信息可参考 链接器脚本生成机制。

或者，也可以通过使用 `IRAM_ATTR` 宏在源代码中指定需要放入 IRAM 的代码:

    #include "esp_attr.h"

    void IRAM_ATTR gpio_isr_handler(void* arg)
    {
        // ...
    }

放入 IRAM 后可能会导致 IRAM 安全中断处理程序出现问题：

- `IRAM_ATTR` 函数中的字符串或常量可能没有自动放入 RAM 中，这时可以使用 `DRAM_ATTR` 属性进行标记，或者也可以使用链接器脚本方法将它们自动放入 RAM 中。

      void IRAM_ATTR gpio_isr_handler(void* arg)
      {
         const static DRAM_ATTR uint8_t INDEX_DATA[] = { 45, 33, 12, 0 };
         const static char *MSG = DRAM_STR("I am a string stored in RAM");
      }

注意，具体哪些数据需要被标记为 `DRAM_ATTR` 可能很难确定。如果没有被标记为 `DRAM_ATTR`，某些变量或表达式有时会被编译器别为常量（即使它们没有被标记为 `const`）并将其放入 flash 中。

- GCC 的优化会自动生成跳转表或 switch/case 查找表，并将这些表放在 flash 中。IDF 默认在编译所有文件时使用 `-fno-jump-tables -fno-tree-switch-conversion` 标志来避免这种情况。

可以为不需要放置在 IRAM 中的单个源文件重新启用跳转表优化。关于如何在编译单个源文件时添加 `-fno-jump-tables -fno-tree-switch-conversion` 选项，请参考 组件编译控制。

## IROM（代码从 flash 中运行）

如果一个函数没有被显式地声明放在 IRAM 或者 RTC 存储器中，则它会放在 flash 中。由于 IRAM 空间有限，应用程序的大部分二进制代码都需要放入 IROM 中。

在 启动 过程中，从 IRAM 中运行的引导加载程序配置 MMU flash 缓存，将应用程序的指令代码区域映射到指令空间。通过 MMU 访问的 flash 使用一些内部 SRAM 进行缓存，访问缓存的 flash 数据与访问其他类型的内部存储器一样快。

## DROM（数据存储在 flash 中）

默认情况下，链接器将常量数据放入一个映射到 MMU flash 缓存的区域中。这与 IROM（代码从 flash 中运行） 部分相同，但此处用于只读数据而不是可执行代码。

唯一没有默认放入 DROM 的常量数据是被编译器嵌入到应用程序代码中的字面常量。这些被放置在周围函数的可执行指令中。

`DRAM_ATTR` 属性可以用来强制将常量从 DROM 放入 DRAM（数据 RAM） 部分（见上文）。

## RTC Slow memory（RTC 慢速存储器）

从 RTC 存储器运行的代码中使用的全局和静态变量必须放入 RTC Slow memory 中。例如 深度睡眠 变量可以放在 RTC Slow memory 中，而不是 RTC FAST memory，或者也可以放入由 ULP 协处理器 访问的代码和变量。

`RTC_NOINIT_ATTR` 属性宏可以用来将数据放入 RTC Slow memory。放入此类型存储器的值从深度睡眠模式中醒来后会保持值不变。

示例:

    RTC_NOINIT_ATTR uint32_t rtc_noinit_data;

## RTC FAST memory（RTC 快速存储器）

RTC FAST memory 的同一区域既可以作为指令存储器也可以作为数据存储器进行访问。从深度睡眠模式唤醒后必须要运行的代码要放在 RTC 存储器中，更多信息请查阅文档 深度睡眠。

除非禁用 CONFIG_ESP_SYSTEM_ALLOW_RTC_FAST_MEM_AS_HEAP 选项，否则剩余的 RTC FAST memory 会被添加到堆中。该部分内存可以和 DRAM（数据 RAM） 互换使用，但是访问速度稍慢一点。

## 具备 DMA 功能

大多数的 DMA 控制器（比如 SPI、sdmmc 等）都要求发送/接收缓冲区放在 DRAM 中，并且按字对齐。我们建议将 DMA 缓冲区放在静态变量而不是堆栈中。使用 `DMA_ATTR` 宏可以声明该全局/本地的静态变量具备 DMA 功能，例如:

    DMA_ATTR uint8_t buffer[]="I want to send something";

    void app_main()
    {
        // 初始化代码
        spi_transaction_t temp = {
            .tx_buffer = buffer,
            .length = 8 * sizeof(buffer),
        };
        spi_device_transmit(spi, &temp);
        // 其它程序
    }

或者:

    void app_main()
    {
        DMA_ATTR static uint8_t buffer[] = "I want to send something";
        // 初始化代码
        spi_transaction_t temp = {
            .tx_buffer = buffer,
            .length = 8 * sizeof(buffer),
        };
        spi_device_transmit(spi, &temp);
        // 其它程序
    }

也可以通过使用 MALLOC_CAP_DMA 标志来动态分配具备 DMA 能力的内存缓冲区。

## 在堆栈中放置 DMA 缓冲区

可以在堆栈中放置 DMA 缓冲区，但建议尽量避免。如果实在有需要的话，请注意以下几点：

- 如果堆栈在 PSRAM 中，则不建议将 DRAM 缓冲区放在堆栈上。如果任务堆栈在 PSRAM 中，则必须执行 片外 RAM 中描述的几个步骤。

- 在函数中使用 `WORD_ALIGNED_ATTR` 宏来修饰变量，将其放在适当的位置上，比如:

      void app_main()
      {
          uint8_t stuff;
          WORD_ALIGNED_ATTR uint8_t buffer[] = "I want to send something";   //否则 buffer 会被存储在 stuff 变量后面
          // 初始化代码
          spi_transaction_t temp = {
              .tx_buffer = buffer,
              .length = 8 * sizeof(buffer),
          };
          spi_device_transmit(spi, &temp);
          // 其它程序
      }

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