非易失性存储 (NVS)
若每分钟保存或者更新数据到 flash 中，ESP32 设备的 NVS 能否满足该需求？
根据 NVS 说明，NVS 库在其操作中主要使用两个实体：页面和条目。逻辑页面对应 flash 的一个物理扇区。假设 flash 扇区大小为 4096 字节，每个页面可容纳 126 个条目（每个条目大小为 32 字节），页面的其余部分用于页头部（32 字节）和条目状态位图（32 字节）。每个扇区的典型 flash 寿命为 100 k 个擦除周期。假设期待设备的运行时间为 10 年，每分钟写入 flash 的数据大小为 4 字节，并且不使用 flash 加密，计算 flash 写操作的次数为：60×24×365×10=5256000。这样，在 NVS 中会导致不超过 42 k 个擦除周期 (5256000/126)，而 42 k < 100 k，因此，即使在没有多扇区影响的情况下也可以支持。在实际使用中，分配给 NVS 的大小一般为多个扇区，NVS 会在多扇区之间分配擦除周期，那么每个扇区的擦除周期的次数必然小于 42 k。
因此，理论上 NVS 可以满足该擦写需求，实际不同 flash 型号的寿命可能会有差异，需要根据实际情况进行评估。
每次写入 1 KB 或以下的数据，执行 10,000,000 次擦除/写入操作是否可行？
若每次写入的数据量为 1 KB，而 flash 的最小可擦除单位为一个页面 (4 KB)，则单个擦除块可视为包含 4 个 1 KB 的逻辑地址。因此，10,000,000 次写入操作等效于对单个页面进行 2,500,000 次擦写周期 (10,000,000 * 1 KB / 4 KB)。为了确保不超过每个物理块的擦写限制（100,000 次），至少需要 25 个 4 KB 的物理块来均摊这些操作（2,500,000 次 / 100,000 次/块 = 25 块）。
考虑到每个扇区的实际可用空间可能因系统开销而有所减少，以及为了提高系统的可靠性和稳定性，建议预留更多的物理空间。例如，可以分配大约 150 KB 的空间，以确保有足够的余地应对额外的系统需求和未来的扩展。
NVS 是否具有磨损均衡？
是的，NVS（Non-Volatile Storage）具有磨损均衡（wear leveling）功能。在使用 flash 存储数据时，由于 flash 的写入和擦除次数有限，会导致一些存储块的寿命比其他块更短，从而影响整个存储器的寿命。为了解决这个问题，NVS 使用的不是 ESP-IDF 中的 wear_levelling 组件，而是在其内部实现的一种擦写平衡机制，将数据均匀地分布在 flash 的各个存储块中，使得每个存储块的使用次数尽可能相等，从而延长整个 flash 的寿命。
详细文档可见：磨损均衡 API。
NVS 扇区是否会因写入时意外断电而损坏？
NVS 设计之初就具有抵抗意外断电的能力，因此不会损坏。
配置好的 Wi-Fi SSID 和 PASSWORD 在 ESP 系列开发板上重新上电后是否会消失，需要重新输入吗？
默认会存在 NVS 里，不会因为掉电而消失，您也可以通过
esp_wifi_set_storage()设置，此时分为两种情况：
如果想要实现掉电保存 Wi-Fi SSID 和 PSAAWORD，可通过调用
esp_wifi_set_storage(WIFI_STORAGE_FLASH)将 Wi-Fi 信息存储在 flash 内。如果想要实现掉电不保存 Wi-Fi SSID 和 PASSWORD 的操作，可通过调用
esp_wifi_set_storage(WIFI_STORAGE_RAM)将 Wi-Fi 信息存储在 RAM 内。
如何实现存储的用户数据支持掉电保存，不被 OTA 擦除，且支持重写或改写？
根据需求，需要使用非易失性存储，存储数据的区域只有 eFuse 或 flash。考虑到需要修改，只能使用 flash。推荐使用 NVS 或 MFG 机制。请参考：
NVS 库提供的 API 是否线程安全？
初始化和去初始化的 NVS 函数不是线程安全的，但是其它 NVS 函数 (open/get/set/commit/close) 是线程安全的。
ESP-IDF SDK 中的 NVS 错误码对应的是什么原因？
ESP-IDF SDK 中对应的 NVS 错误码说明参考 esp-idf/components/nvs_flash/include/nvs.h。
在 NVS 写数据时，是否会禁用 cache ?
在 NVS 写数据时会关闭 cache，且不可以在中断函数中调用任何操作 flash 的函数。